ประเภทของแรม (RAM) และ ประเภทของ (ROM)

ประเภทของแรม (RAM)

1.    EDO RAM

EDO RAM ย่อมาจาก Extended Data Output RAM เป็นแรม

ประเภท DRAM แต่มีความเร็วสูงกว่า  แรมรุ่นผลิตเพื่อใช้กับเครื่องรุ่น 286, 386 ทำงานแบบ 32 บิต และเครื่องรุ่น 486 ทำงานแบบ 64 บิตเป็นแรมสำหรับเครื่องรุ่น Pentium มีจำนวนขาสัญญาณ 72 ขา เป็นสล๊อตแบบ SIMM(Single Inline Memory) ปัจจุบันแรมประเภทนี้ไม่เป็นที่

นิยม

รูปที่ 5.1 รูปแสดงแรมชนิด EDO RAM

          2. SDRAM      

              SDRAM ย่อมาจาก Synchronous DRAM เป็นแรมที่ใช้ในเครื่องคอมพิวเตอร์ปัจจุบันมีจำนวนขาสัญญาณ 168 ขา เพื่อใช้เสียบกับสล๊อตแบบDIMM(Dual Inline Memory Module) ขนาด 64 บิต  สำหรับเครื่องที่มีความเร็วบัสตั้งแต่ 100-133 MH_Z เป็นภาวะการทำงานของซีพียูที่ไม่ต้องรอคอยการทำงานของแรมอีกต่อไป  ซึ่งเรียกว่า Wait State          

                   ในปัจจุบัน SDRAM ที่ผลิตออกมาในปัจจุบันได้ใช้สถาปัตยกรรมการผลิตขนาด 0.18 ไมครอน ขนาดมาตรฐานที่ใช้กันมากคือ 128 MB และได้ผลิตขนาดเพียง 0.13 ไมครอน  ทำให้สามารถผลิตให้มีขนาดความจุได้สูงถึง 256 MB แรมรุ่นนี้บางรุ่นเพิ่มประสิทธิภาพด้าน ECC(Error Correction Code) มีการเพิ่มบิตพิเศษเรียกว่า Parity บิตใช้สำหรับตรวจสอบความถูกต้องดังนั้นราคาแพงมากขึ้น

รูปที่ 5.2 รูปแสดงแรมชนิด SDRAM

          3. DDR SDRAM      

                   DDR SDRAM ย่อมาจาก Double Data Rate SDRAM เป็นแรมที่ถูกพัฒนาจาก SDRAM โดยมีความเร็วในการทำงานเพิ่มขึ้นเป็น 2เท่า โดยมีหลักการทำงานใช้หลักการเปลี่ยนช่วงระดับสัญญาณนาฬิกามาใช้คือให้สามารถทำงานได้ทั้งขาขึ้นและขาลง  โดยใช้ความเร็วในการทำงานเท่ากัน มีขนาดความจุตั้งแต่ 128 MB ขึ้นไปมีลักษณะแผงสำหรับเสียบในสล๊อตแบบ DIMM มีจำนวนขาสัญญาณ 184 pin  มีช่องทางการสื่อสารข้อมูลสูงกว่า SDRAM  มีแรงดันไฟฟ้า 2.5 V ด้วยประสิทธิภาพของแรมจึงได้รับความนิยมเพิ่มมากขึ้นตามลำดับ

รูปที่ 5.3 รูปแสดงแรมชนิด DDR SDRAM        

          4.  RDRAM      

                   RDRAM ย่อมาจาก RAMBUS DRAM เป็นแรมที่ได้รับการพัฒนารูปแบบการทำงานขึ้นมาใหม่โดยบริษัท RAMBUS ใช้เทคนิคการรับส่งข้อมูลด้วยความถี่สูง ใช้สัญญาณขาขึ้นและขาลงมากำหนดให้แรมทำงาน มีความกว้างสำหรับรับส่งข้อมูล8 หรือ 16 บิต  มีอัตราการรับส่งข้อมูล 800 MB ต่อวินาทีในแต่ละช่องของแรม  หากใช้แรมในการติดตั้งเครื่องจะเท่ากับ 64 บิตเท่ากัน SDRAM มีความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลสูงถึง 3.2 GB ต่อวินาที  RDRAM มีราคาสูงมากเมื่อเทียบกับ SDRAM และ DDR SDRAM  

                                     

รูปที่ 5.4 รูปแสดงแรมชนิด RDRAM  

ประเภทของ (ROM)

• Manual ROM
ROM (READ-ONLY MEMORY)           ข้อมูลทั้งหมดที่อยู่ใน ROM จะถูกโปรแกรม โดยผู้ผลิต (โปรแกรม มาจากโรงงาน) เราจะใช้ ROM ชนิดนี้ เมื่อข้อมูลนั้น ไม่มีการเปลี่ยนแปลง และมีความต้องการใช้งาน เป็นจำนวนมาก ผู้ใช้ไม่สามารถ เปลี่ยนแปลงข้อมูลภายใน ROM ได้          โดย ROM จะมีการใช้ technology ที่แตกต่างกันตัวอย่างเช่น BIPOLAR, CMOS, NMOS, PMOS  
• PROM (Programmable ROM)
PROM (PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY)         ข้อมูลที่ต้องการโปรแกรมจะถูกโปรแกรมโดยผู้ใช้เอง โดยป้อนพัลส์แรงดันสูง (HIGH VOLTAGE PULSED) ทำให้ METAL STRIPS หรือ POLYCRYSTALINE SILICON ที่อยู่ในตัว IC ขาดออกจากกัน ทำให้เกิดเป็นลอจิก “1” หรือ “0” ตามตำแหน่ง ที่กำหนดในหน่วยความจำนั้นๆ เมื่อ PROM ถูกโปรแกรมแล้ว ข้อมูลภายใน จะไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้อีก หน่วยความจำชนิดนี้ จะใช้ในงานที่ใช้ความเร็วสูง ซึ่งความเร็วสูงกว่า หน่วยความจำ ที่โปรแกรมได้ชนิดอื่นๆ

• EPROM (Erasable Programmable ROM)
EPROM (ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY)         ข้อมูลจะถูกโปรแกรม โดยผู้ใช้โดยการให้สัญญาณ ที่มีแรงดันสูง (HIGH VOLTAGE SIGNAL) ผ่านเข้าไปในตัว EPROM ซึ่งเป็นวิธีเดียวกับที่ใช้ใน PROM แต่ข้อมูลที่อยู่ใน EPROM เปลี่ยนแปลงได้ โดยการลบข้อมูลเดิมที่อยู่ใน EPROM ออกก่อน แล้วค่อยโปรแกรมเข้าไปใหม่ การลบข้อมูลนี้ทำได้ด้วย การฉายแสง อุลตร้าไวโอเลตเข้าไปในตัว IC โดยผ่าน ทางกระจกใส ที่อยู่บนตัว IC เมื่อฉายแสง ครู่หนึ่ง (ประมาณ 5-10 นาที) ข้อมูลที่อยู่ภายใน ก็จะถูกลบทิ้ง ซึ่งช่วงเวลา ที่ฉายแสงนี้ สามารถดูได้จากข้อมูล ที่กำหนด (DATA SHEET) มากับตัว EPROM และ มีความเหมาะสม ที่จะใช้ เมื่องานของระบบ มีโอกาส ที่จะปรับปรุงแก้ไขข้อมูลใหม่

• EAROM (Electrically Alterable ROM)
EAROM (ELECTRICALLY ALTERABLE READ-ONLY MEMORY)           EAROM หรืออีกชื่อหนึ่งว่า EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE EPROM) เนื่องจากมีการใช้ไฟฟ้าในการลบข้อมูลใน ROM เพื่อเขียนใหม่ ซึ่งใช้เวลาสั้นกว่าของ EPROM          การลบขึ้นอยู่กับพื้นฐานการใช้เทคโนโลยีที่แตกต่างกัน ดังนั้น EAROM (ELECTRICAL ALTERABLE ROM) จะอยู่บนพื้นฐานของเทคโนโลยีแบบ NMOS ข้อมูลจะถูกโปรแกรมโดยผู้ใช้เหมือนใน EPROM แต่สิ่งที่แตกต่างก็คือ ข้อมูลของ EAROM สามารถลบได้โดยทางไฟฟ้าไม่ใช่โดยการฉายแสงแบบ EPROM

                   โดยทั่วไปจะใช้ EPROM เพราะเราสามารถหามาใช้ และทดลองได้ง่าย มีราคาถูก วงจรต่อง่าย ไม่ยุ่งยาก และสามารถเปลี่ยนแปลงโปรแกรมได้ นอกจากระบบ ที่ทำเป็นการค้าจำนวนมาก จึงจะใช้ ROM ประเภทโปรแกรมสำเร็จ

          


              จากรูปแสดงให้เห็นส่วนประกอบพื้นฐานของ ROM ซึ่งจะมีสัญญาณต่างๆ ที่เกี่ยวข้องกับ ROM และทุกชิปที่อยู่ใน ROM มักมีการจัดแบ่งแยกหน้าที่เสมอ เช่น ขาแอดเดรสของ ROM เป็นอินพุต ส่วนขาข้อมูลจะเป็นเอาต์พุต โดยหลักการแล้ว ขาข้อมูลจะต่อเข้ากับบัสข้อมูลซึ่งเป็นบัส 2 ทาง ดังนั้นเอาต์พุตของ ROM ในส่วนขาข้อมูลนี้มักจะเป็นลอจิก 3 สถานะ ซึ่งถ้าไม่ใช้ก็จะอยู่ในสถานะ ที่มีอิมพีแดนซ์สูง (High Impedence)
             ลักษณะโครงสร้างภายในของข้อมูลในหน่วยความจำ สามารถดูได้จาก Data Sheet ของ ROM นั้นๆ เช่น ROM ที่ระบุเป็น 1024 8 ,2048 8 หรือ 4096 8 ตัวเลขชุดแรก (1024 ,2048 หรือ 4096) จะบอกจำนวนตำแหน่ง ที่ใช้เก็บข้อมูลภายใน ส่วนตัวเลขชุดที่สอง (8) เป็นตัวบอกจำนวนบิตของข้อมูลแบบขนาน ที่อ่านจาก ROM
            ในการกำหนดจำนวนเส้นของบัสแอดเดรสที่ใช้กับ ROM เราสามารถรู้ได้ด้วยสูตร

2x = จำนวนแอดเดรสที่อ้างถึง